Name: DMN3032LFDBQ-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMN3032LFDBQ-7DITR-ND
Price: 1.0043 EUR
Availability: InStock

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DMN3032LFDBQ-7
Numéro de produit DigiKey	DMN3032LFDBQ-7DITR-ND - Bande et bobine DMN3032LFDBQ-7DICT-ND - Bande coupée (CT) DMN3032LFDBQ-7DIDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Diodes Incorporated
Numéro de produit du fabricant	DMN3032LFDBQ-7
Description	MOSFET 2N-CH 30V 6.2A 6UDFN
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	40 semaines
Référence client
Description détaillée	MOSFET - Matrices 30V 6,2A 1W Montage en surface U-DFN2020-6 (Type B)
Fiche technique	Fiche technique

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET Matrices de FET, MOSFET	Vgs(th) (max.) à Id 2V à 250µA
Fabricant Diodes Incorporated	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 10,6nC à 10V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 500pF à 15V
Statut du composant Actif	Puissance - Max. 1W
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration 2 canaux N (double)	Type de montage Montage en surface
Tension drain-source (Vdss) 30V	Boîtier 6-UDFN plot exposé
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 6,2A	Boîtier fournisseur U-DFN2020-6 (Type B)
Rds On (max.) à Id, Vgs 30mohms à 5,8A, 10V	Numéro de produit de base DMN3032

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