Name: DMN2008LFU-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMN2008LFU-7DITR-ND
Price: 1.1253 EUR
Availability: InStock

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DMN2008LFU-7
Numéro de produit DigiKey	DMN2008LFU-7DITR-ND - Bande et bobine DMN2008LFU-7DICT-ND - Bande coupée (CT) DMN2008LFU-7DIDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Diodes Incorporated
Numéro de produit du fabricant	DMN2008LFU-7
Description	MOSFET 2N-CH 20V 14.5A 6UDFN
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	12 semaines
Référence client
Description détaillée	MOSFET - Matrices 20V 14,5A 1W Montage en surface U-DFN2030-6 (Type B)
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	DMN2008LFU-7 Modèles

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET Matrices de FET, MOSFET	Vgs(th) (max.) à Id 1,5V à 250A
Fabricant Diodes Incorporated	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 42,3nC à 10V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1418pF à 10V
Statut du composant Actif	Puissance - Max. 1W
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration 2 à canal N (double), drain commun	Type de montage Montage en surface
Tension drain-source (Vdss) 20V	Boîtier 6-UFDFN plot exposé
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 14,5A	Boîtier fournisseur U-DFN2030-6 (Type B)
Rds On (max.) à Id, Vgs 5,4mohms à 5,5A, 4,5V	Numéro de produit de base DMN2008

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