Name: DMN1019USN-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMN1019USN-7DITR-ND
Price: 0.6534 EUR
Availability: InStock

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DMN1019USN-7
Numéro de produit DigiKey	DMN1019USN-7DITR-ND - Bande et bobine DMN1019USN-7DICT-ND - Bande coupée (CT) DMN1019USN-7DIDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Diodes Incorporated
Numéro de produit du fabricant	DMN1019USN-7
Description	MOSFET N-CH 12V 9.3A SC59
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	40 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 12 V 9,3 A (Ta) 680mW (Ta) Montage en surface SC-59-3
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	DMN1019USN-7 Modèles

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 800mV à 250µA
Fabricant Diodes Incorporated	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 50.6 nC @ 8 V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Vgs (max.) ±8V
Statut du composant Actif	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 2426 pF @ 10 V
Type de FET Canal N	Dissipation de puissance (max.) 680mW (Ta)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss) 12 V	Type de montage Montage en surface
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 9,3 A (Ta)	Boîtier fournisseur SC-59-3
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 1,2V, 2,5V	Boîtier TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Rds On (max.) à Id, Vgs 10mohms à 9,7A, 4,5V	Numéro de produit de base DMN1019

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