DMN100-7-F Diodes Incorporated | FET, MOSFET simples

DMN100-7-F est obsolète et n'est plus fabriqué.

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DMN100-7-F
Numéro de produit DigiKey	DMN100-FDITR-ND - Bande et bobine
Fabricant	Diodes Incorporated
Numéro de produit du fabricant	DMN100-7-F
Description	MOSFET N-CH 30V 1.1A SC59-3
Référence client
Description détaillée	Canal N 30 V 1,1 A (Ta) 500mW (Ta) Montage en surface SC-59-3

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 3V à 1mA
Fabricant Diodes Incorporated	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 5.5 nC @ 10 V
Conditionnement Bande et bobine	Vgs (max.) ±20V
Statut du composant Obsolète	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 150 pF @ 10 V
Type de FET Canal N	Dissipation de puissance (max.) 500mW (Ta)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss) 30 V	Type de montage Montage en surface
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 1,1 A (Ta)	Boîtier fournisseur SC-59-3
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 4,5V, 10V	Boîtier TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Rds On (max.) à Id, Vgs 240mohms à 1A, 10V	Numéro de produit de base DMN100