Name: DMC3061SVTQ-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMC3061SVTQ-13TR-ND
Price: 0.14037 EUR
Availability: OutOfStock

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DMC3061SVTQ-13
Numéro de produit DigiKey	31-DMC3061SVTQ-13TR-ND - Bande et bobine
Fabricant	Diodes Incorporated
Numéro de produit du fabricant	DMC3061SVTQ-13
Description	MOSFET N/P-CH 30V 3.4A TSOT26
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	40 semaines
Référence client
Description détaillée	MOSFET - Matrices 30V 3,4A (Ta), 2,7A (Ta) 880mW Montage en surface TSOT-26
Fiche technique	Fiche technique

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET Matrices de FET, MOSFET	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 6,6nC à 10V, 6,8nC à 10V
Fabricant Diodes Incorporated	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 278pF à 15V, 287pF à 15V
Conditionnement Bande et bobine	Puissance - Max. 880mW
Statut du composant Actif	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Grade Automobile
Configuration Canal N et P, complémentaire	Qualification AEC-Q101
Tension drain-source (Vdss) 30V	Type de montage Montage en surface
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 3,4A (Ta), 2,7A (Ta)	Boîtier SOT-23-6 mince, TSOT-23-6
Rds On (max.) à Id, Vgs 60mohms à 3,1A, 10V, 95mohms à 2,7A, 10V	Boîtier fournisseur TSOT-26
Vgs(th) (max.) à Id 1,8V à 250µA, 2,2V à 250µA	Numéro de produit de base DMC3061