Name: BY25FQ128ELSIG(R)
Brand: BYTe Semiconductor
SKU: 5369-BY25FQ128ELSIG(R)TR-ND
Price: 1.1011 EUR
Availability: InStock

Nouveau produit

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BY25FQ128ELSIG(R)
Numéro de produit DigiKey	5369-BY25FQ128ELSIG(R)TR-ND - Bande et bobine 5369-BY25FQ128ELSIG(R)CT-ND - Bande coupée (CT) 5369-BY25FQ128ELSIG(R)DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	BYTe Semiconductor
Numéro de produit du fabricant	BY25FQ128ELSIG(R)
Description	128 MBIT, 1.8V (1.65V TO 1.95V),
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	8 semaines
Référence client
Description détaillée	FLASH - NOR Mémoire IC 128Mb SPI - I/O quadruple, QPI 133 MHz 6 ns 8-SOP
Fiche technique	Fiche technique

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Catégorie Circuits intégrés Mémoire Mémoire	Interface mémoire SPI - I/O quadruple, QPI
Fabricant BYTe Semiconductor	Fréquence d'horloge 133 MHz
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Temps de cycle d'écriture - Mot, page 120µs, 2,5ms
Statut du composant Actif	Temps d'accès 6 ns
Type de mémoire Non volatile	Tension - Alimentation 1,65V ~ 2V
Format mémoire FLASH	Température de fonctionnement -40°C ~ 85°C (TA)
Technologies FLASH - NOR	Type de montage Montage en surface
Taille mémoire 128Mb	Boîtier 8-SOIC (0,209po, 5,30mm de largeur)
Organisation de la mémoire 16 M x 8	Boîtier fournisseur 8-SOP

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