Dispositif d'alimentation intelligent haut potentiel BV1HB008EFJ-C

Les dispositifs d'alimentation intelligents (IPD) BV1HB008EFJ-C monocanaux haut potentiel de 9 mΩ de ROHM intègrent une protection de la charge contre les surintensités et un mécanisme d'arrêt à double température qui limite les transitoires thermiques internes et réduit les contraintes mécaniques du circuit intégré. Ils disposent également d'un circuit de blocage actif intelligent pour dissiper l'énergie magnétique tout en coupant les charges inductives et pour protéger les circuits internes contre les surtensions. Les fonctionnalités intégrées de détection de courant et de diagnostic fournissent des informations en temps réel sur le courant de charge et un retour d'information sur les circuits ouverts ou les courts-circuits, tant à l'état passant qu'à l'état bloqué. Une broche d'entrée compatible CMOS de 3 V et 5 V offre une connexion directe au microcontrôleur sans interfaces spéciales ni décalage de niveau. Ces caractéristiques, associées à une large plage de tensions d'entrée, font du dispositif IPD haut potentiel un composant hautes performances adapté aux applications automobiles connectées à une batterie de 12 V.