MOSFET à canal N AW2K21 ultracompact de 30 V à faible résistance à l'état passant

Le dispositif AW2K21 de ROHM est un MOSFET à canal N de 30 V qui offre une résistance à l'état passant ultrafaible de seulement 2,0 mΩ (typ.), ce qui est inégalé dans l'industrie, dans un boîtier extrêmement compact de 2,0 mm x 2,0 mm. Conçu avec une configuration à source commune, ce dispositif intègre deux MOSFET qui partagent une borne source, permettant ainsi une protection de circuit bidirectionnelle efficace dans un seul composant. Cela réduit considérablement l'espace occupé sur la carte par rapport aux circuits d'alimentation classiques qui nécessitent deux MOSFET discrets, ce qui rend l'AW2K21 idéal pour la charge USB rapide et d'autres applications portables à fort courant. L'AW2K21 peut également fonctionner comme un MOSFET simple standard en ajustant les connexions des broches, tout en conservant des performances supérieures. Sa résistance à l'état passant ultrafaible favorise non seulement la miniaturisation, mais contribue également à améliorer le rendement énergétique, offrant des performances qui surpassent même celles des transistors HEMT GaN équivalents dans des catégories de taille similaire.