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MOSFET à canal N 40 V MCAC4D4N04YL-TP en boîtier DFN5060
Les MOSFET à canal N de 40 V et 4,4 mΩ de MCC sont parfaitement adaptés aux applications de commutation ultracompactes à courant élevé
Le dispositif MCAC4D4N04YL-TP de Micro Commercial Components est un MOSFET à canal N hautes performances dans le boîtier miniature DFN5060. Ce dispositif fonctionne avec une résistance à l'état passant exceptionnellement faible de 4,4 mΩ pour offrir une densité de puissance et un rendement inégalés aux applications les plus exigeantes et les plus compactes.
Fonctionnalités
- Technologie MOSFET à tranchée à grille divisée, optimisée pour une faible résistance à l'état passant et une haute vitesse de commutation
- Faible résistance RDS(ON) de 4,4 mΩ (max) à VGS = 10 V, ce qui réduit les pertes par conduction et la génération de chaleur, et améliore le rendement global du système
- Conformité à RoHS et sans halogène, en accord avec les normes environnementales mondiales et les initiatives de fabrication écologique
- Tension drain-source (VDS) de 40 V offrant une marge importante pour gérer les pointes de tension et les oscillations dans les applications fonctionnant grâce à des systèmes de batterie standard de 12 V
- Faible résistance thermique de +2,97°C/W jonction-boîtier contribuant à améliorer le transfert de chaleur et assurant un fonctionnement stable en conditions de puissance élevées
- Température de jonction maximale étendue TJ (max.) de +175°C, permettant des applications industrielles lourdes
- Boîtier DFN5060 conçu pour les applications à espace restreint et présentant des contraintes thermiques élevées
Applications
- Alimentations à découpage
- Convertisseurs CC/CC
- Systèmes de gestion de batteries (BMS)
- Entraînements et commandes de moteurs industriels
- Distribution de puissance et relais statiques
Date de publication : 2026-01-28
