Les modules de mémoire DRAM synchrones à débit de données double version 2 (SDRAM DDR2) CMOS haute vitesse AS4C16M16D2, AS4C32M16D2, AS4C64M8D2, AS4C64M16D2, AS4C128M8D2 et AS4C128M16D2 d'Alliance Memory présentent des densités de respectivement 256 Mo, 512 Mo, 1 Go et 2 Go, dans des boîtiers FBGA 60 billes de 8 mm x 10 mm x 1,2 mm et 84 billes de 8 mm x 12,5 mm x 1,2 mm. Convenant parfaitement à une gamme de produits nécessitant une bande passante mémoire élevée, ces dispositifs offrent un équivalent fiable à brochage compatible pour un remplacement dans un certain nombre de solutions similaires.
| Fonctionnalités et avantages |
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- Fourni avec trois plages de températures :
- Commercial (0°C à +85°C)
- Industriel (-40°C à +95°C)
- Automobile (-40°C à +105°C)
- Interface synchrone
- Durées des rafales en lecture ou écriture programmables de 4 ou 8
- Une fonction de précharge automatique fournit une précharge de ligne autoprogrammée initiée à la fin de la séquence de rafales
- Fonctionnement à partir d'une alimentation simple de +1,8 V (±0,1 V)
- Sans plomb et sans halogène
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- Configuré en interne sous forme de quatre blocs de 8 M mots x 16 bits (AS4C32M16D2), huit blocs de 8 M x 16 bits (AS4C64M16D2), 16 M x 8 bits (AS4C128M8D2) et 16 M x 16 bits (AS4C128M16D2)
- Fonctions de rafraîchissement faciles à utiliser, dont un rafraîchissement automatique ou une auto-actualisation
- Le registre de mode programmable permet au système de choisir les modes les plus adaptés pour optimiser les performances
- Fréquence d'horloge rapide de 400 MHz
- Débit de données de 800 Mbps/broche
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| Applications |
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- Produits de réseau, automobiles, industriels et grand public
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