Name: SUD90330E-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SUD90330E-GE3TR-ND
Price: 2.3353 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

SUD90330E-GE3
DigiKey-Teilenr.	SUD90330E-GE3TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) SUD90330E-GE3CT-ND - Gurtabschnitt (CT) SUD90330E-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer	SUD90330E-GE3
Beschreibung	MOSFET N-CH 200V 35.8A TO252AA
Standardlieferzeit des Herstellers	42 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 200 V 35,8 A (Tc) 125W (Tc) Oberflächenmontage TO-252AA
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Ähnliche Produkte anzeigen

Leere Attribute anzeigen

Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 4V bei 250µA
Herst. Vishay Siliconix	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 32 nC @ 10 V
Serie ThunderFET®	Vgs (Max.) ±20V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 1172 pF @ 100 V
Status der Komponente Aktiv	Verlustleistung (max.) 125W (Tc)
FET-Typ N-Kanal	Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Montagetyp Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung (Vdss) 200 V	Gehäusetyp vom Lieferanten TO-252AA
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 35,8 A (Tc)	Gehäuse / Hülle TO-252-3, DPAK (2 Pins + Lasche), SC-63
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 7,5V, 10V	Basis-Produktnummer SUD90330
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 37,5mOhm bei 12,2A, 10V