Name: SQM10250E_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SQM10250E_GE3TR-ND
Price: 4.6101 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

SQM10250E_GE3
DigiKey-Teilenr.	SQM10250E_GE3TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) SQM10250E_GE3CT-ND - Gurtabschnitt (CT) SQM10250E_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer	SQM10250E_GE3
Beschreibung	MOSFET N-CH 250V 65A TO263
Standardlieferzeit des Herstellers	22 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 250 V 65 A (Tc) 375W (Tc) Oberflächenmontage TO-263 (D2PAK)
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Ähnliche Produkte anzeigen

Leere Attribute anzeigen

Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 75 nC @ 10 V
Herst. Vishay Siliconix	Vgs (Max.) ±20V
Serie TrenchFET®	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 4050 pF @ 25 V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Verlustleistung (max.) 375W (Tc)
Status der Komponente Aktiv	Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ)
FET-Typ N-Kanal	Klasse Automobiltechnik
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Qualifizierung AEC-Q101
Drain-Source-Spannung (Vdss) 250 V	Montagetyp Oberflächenmontage
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 65 A (Tc)	Gehäusetyp vom Lieferanten TO-263 (D2PAK)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 7,5V, 10V	Gehäuse / Hülle TO-263-3, D2PAK (2 Pins + Lasche), TO-263AB
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 30mOhm bei 15A, 10V	Basis-Produktnummer SQM10250
Vgs(th) (max.) bei Id 3,5V bei 250µA