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Parametrisches Äquivalent


Vishay Siliconix
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Vorrätig: 0
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Vorrätig: 685
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Vorrätig: 404
Stückpreis : 5,69000 €
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Vorrätig: 2.332
Stückpreis : 6,31000 €
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STMicroelectronics
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STMicroelectronics
Vorrätig: 1.000
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Datenblatt
N-Kanal 600 V 29 A (Tc) 250W (Tc) Durchkontaktierung
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
N-Kanal 600 V 29 A (Tc) 250W (Tc) Durchkontaktierung
TO-220AB

SIHP30N60E-GE3

DigiKey-Teilenr.
SIHP30N60E-GE3-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
SIHP30N60E-GE3
Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 29A TO220AB
Standardlieferzeit des Herstellers
22 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 600 V 29 A (Tc) 250W (Tc) Durchkontaktierung
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 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
SIHP30N60E-GE3 Modelle
Produkteigenschaften
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Kategorie
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
125mOhm bei 15A, 10V
Herst.
Vgs(th) (max.) bei Id
4V bei 250µA
Serie
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
130 nC @ 10 V
Verpackung
Stange
Vgs (Max.)
±30V
Status der Komponente
Aktiv
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
2600 pF @ 100 V
FET-Typ
Verlustleistung (max.)
250W (Tc)
Technologie
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
600 V
Montagetyp
Durchkontaktierung
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Gehäuse / Hülle
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Basis-Produktnummer
Umwelt- und Exportklassifikationen
Fragen und Antworten zum Produkt
Zusätzliche Ressourcen
Ersatzartikel (12)
TeilenummerHersteller Verfügbare MengeDigiKey-Teilenr. Stückpreis Typ des Ersatzartikels
SIHP30N60E-E3Vishay Siliconix0742-SIHP30N60E-E3-ND2,81402 €Parametrisches Äquivalent
AOT42S60LAlpha & Omega Semiconductor Inc.3.045785-1515-5-ND6,66000 ۀhnlich
IPP60R099C6XKSA1Infineon Technologies1.434448-IPP60R099C6XKSA1-ND6,79000 ۀhnlich
IPP60R099CPAAKSA1Infineon Technologies0IPP60R099CPAAKSA1-ND0,00000 ۀhnlich
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Menge Stückpreis Gesamtpreis
16,06000 €6,06 €
503,23100 €161,55 €
1002,95830 €295,83 €
5002,48094 €1.240,47 €
1.0002,32772 €2.327,72 €
2.0002,28411 €4.568,22 €
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