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Verfügbare Ersatzkomponenten:

Direkter Ersatz


STMicroelectronics
Vorrätig: 57
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Vorrätig: 404
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Infineon Technologies
Vorrätig: 2.332
Stückpreis : 6,31000 €
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Infineon Technologies
Vorrätig: 464
Stückpreis : 4,84000 €
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STMicroelectronics
Vorrätig: 135
Stückpreis : 5,74000 €
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STMicroelectronics
Vorrätig: 66
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STMicroelectronics
Vorrätig: 621
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Vorrätig: 1.000
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Vorrätig: 90
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Datenblatt
N-Kanal 600 V 29 A (Tc) 250W (Tc) Durchkontaktierung TO-220AB
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SIHP30N60E-E3

DigiKey-Teilenr.
742-SIHP30N60E-E3-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
SIHP30N60E-E3
Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 29A TO220AB
Standardlieferzeit des Herstellers
22 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 600 V 29 A (Tc) 250W (Tc) Durchkontaktierung TO-220AB
Datenblatt
 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
SIHP30N60E-E3 Modelle
Produkteigenschaften
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Kategorie
Vgs(th) (max.) bei Id
4V bei 250µA
Herst.
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
130 nC @ 10 V
Verpackung
Stange
Vgs (Max.)
±30V
Status der Komponente
Aktiv
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
2600 pF @ 100 V
FET-Typ
Verlustleistung (max.)
250W (Tc)
Technologie
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
600 V
Montagetyp
Durchkontaktierung
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220AB
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Gehäuse / Hülle
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
125mOhm bei 15A, 10V
Basis-Produktnummer
Umwelt- und Exportklassifikationen
Fragen und Antworten zum Produkt
Zusätzliche Ressourcen
Ersatzartikel (13)
TeilenummerHersteller Verfügbare MengeDigiKey-Teilenr. Stückpreis Typ des Ersatzartikels
STP42N60M2-EPSTMicroelectronics57497-15893-5-ND6,45000 €Direkter Ersatz
AOT42S60LAlpha & Omega Semiconductor Inc.3.045785-1515-5-ND6,66000 ۀhnlich
IPP60R099C6XKSA1Infineon Technologies1.434448-IPP60R099C6XKSA1-ND6,79000 ۀhnlich
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IPP60R099CPXKSA1Rochester Electronics, LLC632156-IPP60R099CPXKSA1-448-ND7,81000 ۀhnlich
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