N-Kanal 650 V 28 A (Tc) 190W (Tc) Durchkontaktierung TO-220
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STP34N65M5

DigiKey-Teilenr.
497-13111-5-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
STP34N65M5
Beschreibung
MOSFET N-CH 650V 28A TO220
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 650 V 28 A (Tc) 190W (Tc) Durchkontaktierung TO-220
Datenblatt
 Datenblatt
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STP34N65M5 Modelle
Produkteigenschaften
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Kategorie
Vgs(th) (max.) bei Id
5V bei 250µA
Herst.
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
62.5 nC @ 10 V
Serie
Vgs (Max.)
±25V
Verpackung
Stange
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
2700 pF @ 100 V
Status der Komponente
Aktiv
Verlustleistung (max.)
190W (Tc)
FET-Typ
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Technologie
Montagetyp
Durchkontaktierung
Drain-Source-Spannung (Vdss)
650 V
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Gehäuse / Hülle
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Basis-Produktnummer
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
110mOhm bei 14A, 10V
Umwelt- und Exportklassifikationen
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