Name: TP65H050G4YS
Brand: Renesas Electronics Corporation
SKU: 1707-TP65H050G4YS-ND
Price: 10.8295 EUR
Availability: InStock

N-Kanal 650 V 35 A (Tc) 132W (Tc) Durchkontaktierung TO-247-4L

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TP65H050G4YS
DigiKey-Teilenr.	1707-TP65H050G4YS-ND
Hersteller	Renesas Electronics Corporation
Hersteller-Teilenummer	TP65H050G4YS
Beschreibung	650 V 35 A GAN FET HIGH VOLTAGE
Standardlieferzeit des Herstellers	16 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 650 V 35 A (Tc) 132W (Tc) Durchkontaktierung TO-247-4L
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 60mOhm bei 22A, 10V
Herst. Renesas Electronics Corporation	Vgs(th) (max.) bei Id 4,8V bei 700µA
Serie SuperGaN®	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 24 nC @ 10 V
Verpackung Stange	Vgs (Max.) ±20V
Status der Komponente Aktiv	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 1000 pF @ 400 V
FET-Typ N-Kanal	Verlustleistung (max.) 132W (Tc)
Technologie GaNFET (Galliumnitrid)	Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V	Montagetyp Durchkontaktierung
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 35 A (Tc)	Gehäusetyp vom Lieferanten TO-247-4L
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V	Gehäuse / Hülle TO-247-4

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1	8,95000 €	8,95 €
30	5,28767 €	158,63 €
120	4,48250 €	537,90 €
510	3,89296 €	1.985,41 €
1.020	3,82302 €	3.899,48 €

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