N-Kanal 650 V 34 A (Tc) 119W (Tc) Durchkontaktierung TO-247-3
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TP65H050G4WS

DigiKey-Teilenr.
1707-TP65H050G4WS-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
TP65H050G4WS
Beschreibung
650 V 34 A GAN FET
Standardlieferzeit des Herstellers
16 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 650 V 34 A (Tc) 119W (Tc) Durchkontaktierung TO-247-3
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
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Kategorie
Vgs(th) (max.) bei Id
4,8V bei 700µA
Herst.
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
24 nC @ 10 V
Serie
Vgs (Max.)
±20V
Verpackung
Stange
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
1000 pF @ 400 V
Status der Komponente
Aktiv
Verlustleistung (max.)
119W (Tc)
FET-Typ
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Technologie
Montagetyp
Durchkontaktierung
Drain-Source-Spannung (Vdss)
650 V
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-247-3
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Gehäuse / Hülle
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Basis-Produktnummer
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
60mOhm bei 22A, 10V
Umwelt- und Exportklassifikationen
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Zusätzliche Ressourcen
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Stange
Menge Stückpreis Gesamtpreis
19,69000 €9,69 €
305,76267 €172,88 €
1204,90150 €588,18 €
5104,27084 €2.178,13 €
1.0204,24950 €4.334,49 €
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