N-Kanal 650 V 55,7A (Tc) 192W (Tc) Durchkontaktierung TO-247-3
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TP65H030G4PWS

DigiKey-Teilenr.
1707-TP65H030G4PWS-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
TP65H030G4PWS
Beschreibung
GANFET N-CH 650V 55.7A TO247-3
Standardlieferzeit des Herstellers
16 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 650 V 55,7A (Tc) 192W (Tc) Durchkontaktierung TO-247-3
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
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Kategorie
Vgs(th) (max.) bei Id
4,8V bei 1mA
Herst.
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
24.5 nC @ 12 V
Serie
Vgs (Max.)
±20V
Verpackung
Stange
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
1500 pF @ 400 V
Status der Komponente
Aktiv
Verlustleistung (max.)
192W (Tc)
FET-Typ
Betriebstemperatur
-40°C bis 150°C (TJ)
Technologie
Montagetyp
Durchkontaktierung
Drain-Source-Spannung (Vdss)
650 V
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-247-3
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Gehäuse / Hülle
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
12V
Basis-Produktnummer
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
41mOhm bei 30A, 12V
Umwelt- und Exportklassifikationen
Fragen und Antworten zum Produkt
Zusätzliche Ressourcen
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Alle Preise in EUR
Stange
Menge Stückpreis Gesamtpreis
19,24000 €9,24 €
305,47500 €164,25 €
1204,64850 €557,82 €
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1.0203,99453 €4.074,42 €
Standardverpackung des Herstellers
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