Name: NTMTS001N06CTXG
Brand: onsemi
SKU: NTMTS001N06CTXGOSTR-ND
Price: 4.5133 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

NTMTS001N06CTXG
DigiKey-Teilenr.	NTMTS001N06CTXGOSTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) NTMTS001N06CTXGOSCT-ND - Gurtabschnitt (CT) NTMTS001N06CTXGOSDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	onsemi
Hersteller-Teilenummer	NTMTS001N06CTXG
Beschreibung	MOSFET N-CH 60V 53.7A/376A 8DFNW
Standardlieferzeit des Herstellers	43 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 60 V 53,7A (Ta), 376A (Tc) 5W (Ta), 244W (Tc) Oberflächenmontage 8-DFNW (8,3x8,4)
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Ähnliche Produkte anzeigen

Leere Attribute anzeigen

Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 4V bei 250µA
Herst. onsemi	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 113 nC @ 10 V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Vgs (Max.) ±20V
Status der Komponente Aktiv	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 8705 pF @ 30 V
FET-Typ N-Kanal	Verlustleistung (max.) 5W (Ta), 244W (Tc)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V	Montagetyp Oberflächenmontage
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 53,7A (Ta), 376A (Tc)	Gehäusetyp vom Lieferanten 8-DFNW (8,3x8,4)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V	Gehäuse / Hülle 8-PowerTDFN
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 0,91mOhm bei 50A, 10V	Basis-Produktnummer NTMTS001