Name: SIRS5100DP-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SIRS5100DP-T1-GE3TR-ND
Price: 4.719 EUR
Availability: InStock

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SIRS5100DP-T1-GE3
DigiKey-Teilenr.	742-SIRS5100DP-T1-GE3TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 742-SIRS5100DP-T1-GE3CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 742-SIRS5100DP-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer	SIRS5100DP-T1-GE3
Beschreibung	N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW
Standardlieferzeit des Herstellers	55 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 100 V 39A (Ta), 225A (Tc) 7,4W (Ta), 240W (Tc) Oberflächenmontage PowerPAK® SO-8
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	SIRS5100DP-T1-GE3 Modelle

Produkteigenschaften

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Leere Attribute anzeigen

Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 4V bei 250µA
Herst. Vishay Siliconix	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 102 nC @ 10 V
Serie TrenchFET®	Vgs (Max.) ±20V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 5400 pF @ 50 V
Status der Komponente Aktiv	Verlustleistung (max.) 7,4W (Ta), 240W (Tc)
FET-Typ N-Kanal	Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Montagetyp Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V	Gehäusetyp vom Lieferanten PowerPAK® SO-8
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 39A (Ta), 225A (Tc)	Gehäuse / Hülle PowerPAK® SO-8
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 7,5V, 10V	Basis-Produktnummer SIRS5100
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 2,5mOhm bei 20A, 10V