
SPP17N80C3XKSA1 | |
|---|---|
DigiKey-Teilenr. | SPP17N80C3XKSA1-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | SPP17N80C3XKSA1 |
Beschreibung | MOSFET N-CH 800V 17A TO220-3 |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 800 V 17 A (Tc) 208W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO220-3-1 |
Datenblatt | Datenblatt |
EDA/CAD-Modelle | SPP17N80C3XKSA1 Modelle |
Kategorie | Vgs(th) (max.) bei Id 3,9V bei 1mA |
Herst. | Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 177 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (Max.) ±20V |
Verpackung Stange | Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 2320 pF @ 25 V |
Status der Komponente Nicht für Neukonstruktionen | Verlustleistung (max.) 208W (Tc) |
FET-Typ | Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ) |
Technologie | Montagetyp Durchkontaktierung |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 800 V | Gehäusetyp vom Lieferanten PG-TO220-3-1 |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | Gehäuse / Hülle |
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V | Basis-Produktnummer |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 290mOhm bei 11A, 10V |
| Teilenummer | Hersteller | Verfügbare Menge | DigiKey-Teilenr. | Stückpreis | Typ des Ersatzartikels |
|---|---|---|---|---|---|
| IRF830APBF | Vishay Siliconix | 1.717 | IRF830APBF-ND | 2,63000 € | Ähnlich |
| IRFBC30APBF | Vishay Siliconix | 732 | IRFBC30APBF-ND | 3,40000 € | Ähnlich |
| SIHP15N60E-E3 | Vishay Siliconix | 989 | 742-SIHP15N60E-E3-ND | 3,58000 € | Ähnlich |
| STP11NM80 | STMicroelectronics | 970 | 497-4369-5-ND | 6,25000 € | Ähnlich |
| STP18N60M2 | STMicroelectronics | 266 | 497-13971-5-ND | 2,58000 € | Ähnlich |
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1 | 4,61000 € | 4,61 € |
| 50 | 2,39460 € | 119,73 € |
| 100 | 2,18100 € | 218,10 € |
| 500 | 1,80670 € | 903,35 € |
| 1.000 | 1,68654 € | 1.686,54 € |
| 2.000 | 1,58556 € | 3.171,12 € |
| 5.000 | 1,58262 € | 7.913,10 € |
| Stückpreis ohne MwSt.: | 4,61000 € |
|---|---|
| Stückpreis mit MwSt.: | 5,57810 € |












