N-Kanal 600 V 15 A (Tc) 180W (Tc) Durchkontaktierung TO-220AB
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SIHP15N60E-E3

DigiKey-Teilenr.
742-SIHP15N60E-E3-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
SIHP15N60E-E3
Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 15A TO220AB
Standardlieferzeit des Herstellers
22 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 600 V 15 A (Tc) 180W (Tc) Durchkontaktierung TO-220AB
Datenblatt
 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
SIHP15N60E-E3 Modelle
Produkteigenschaften
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Kategorie
Vgs(th) (max.) bei Id
4V bei 250µA
Herst.
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
78 nC @ 10 V
Verpackung
Stange
Vgs (Max.)
±30V
Status der Komponente
Aktiv
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
1350 pF @ 100 V
FET-Typ
Verlustleistung (max.)
180W (Tc)
Technologie
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
600 V
Montagetyp
Durchkontaktierung
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220AB
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Gehäuse / Hülle
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
280mOhm bei 8A, 10V
Basis-Produktnummer
Umwelt- und Exportklassifikationen
Fragen und Antworten zum Produkt
Zusätzliche Ressourcen
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Alle Preise in EUR
Stange
Menge Stückpreis Gesamtpreis
13,58000 €3,58 €
501,81980 €90,99 €
1001,64940 €164,94 €
5001,35078 €675,39 €
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5.0001,12612 €5.630,60 €
Standardverpackung des Herstellers
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