N-Kanal 800 V 11 A (Tc) 150W (Tc) Durchkontaktierung TO-220
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STP11NM80

DigiKey-Teilenr.
497-4369-5-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
STP11NM80
Beschreibung
MOSFET N-CH 800V 11A TO220AB
Standardlieferzeit des Herstellers
16 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 800 V 11 A (Tc) 150W (Tc) Durchkontaktierung TO-220
Datenblatt
 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
STP11NM80 Modelle
Produkteigenschaften
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Kategorie
Vgs(th) (max.) bei Id
5V bei 250µA
Herst.
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
43.6 nC @ 10 V
Serie
Vgs (Max.)
±30V
Verpackung
Stange
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
1630 pF @ 25 V
Status der Komponente
Aktiv
Verlustleistung (max.)
150W (Tc)
FET-Typ
Betriebstemperatur
-65°C bis 150°C (TJ)
Technologie
Montagetyp
Durchkontaktierung
Drain-Source-Spannung (Vdss)
800 V
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Gehäuse / Hülle
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Basis-Produktnummer
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
400mOhm bei 5,5A, 10V
Umwelt- und Exportklassifikationen
Fragen und Antworten zum Produkt
Zusätzliche Ressourcen
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Alle Preise in EUR
Stange
Menge Stückpreis Gesamtpreis
16,25000 €6,25 €
503,34340 €167,17 €
1003,06300 €306,30 €
5002,57224 €1.286,12 €
1.0002,41474 €2.414,74 €
2.0002,38100 €4.762,00 €
Standardverpackung des Herstellers
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Stückpreis mit MwSt.:7,56250 €