
IMBG65R010M2HXTMA1 | |
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DigiKey-Teilenr. | 448-IMBG65R010M2HXTMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 448-IMBG65R010M2HXTMA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 448-IMBG65R010M2HXTMA1DKR-ND - Digi-Reel® |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | IMBG65R010M2HXTMA1 |
Beschreibung | SILICON CARBIDE MOSFET |
Standardlieferzeit des Herstellers | 61 Wochen |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 650 V 158 A (Tc) 535W (Tc) Oberflächenmontage PG-TO263-7-12 |
Datenblatt | Datenblatt |
EDA/CAD-Modelle | IMBG65R010M2HXTMA1 Modelle |
Kategorie | Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 9,1mOhm bei 92,1A, 20V |
Herst. | Vgs(th) (max.) bei Id 5,6V bei 18,7mA |
Serie | Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 112 nC @ 18 V |
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel® | Vgs (Max.) +23V, -7V |
Status der Komponente Aktiv | Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 4001 pF @ 400 V |
FET-Typ | Verlustleistung (max.) 535W (Tc) |
Technologie | Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V | Montagetyp Oberflächenmontage |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | Gehäusetyp vom Lieferanten PG-TO263-7-12 |
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 15V, 20V | Gehäuse / Hülle |
| Teilenummer | Hersteller | Verfügbare Menge | DigiKey-Teilenr. | Stückpreis | Typ des Ersatzartikels |
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| IMBG65R010M2H | Infineon Technologies | 53 | 448-IMBG65R010M2HCT-ND | 19,39000 € | Parametrisches Äquivalent |
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
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| 1 | 18,80000 € | 18,80 € |
| 10 | 13,48900 € | 134,89 € |
| 100 | 12,26110 € | 1.226,11 € |
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
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| 1.000 | 10,01724 € | 10.017,24 € |
| Stückpreis ohne MwSt.: | 18,80000 € |
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| Stückpreis mit MwSt.: | 22,74800 € |




