Name: IMBG65R010M2H
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMBG65R010M2HDKR-ND
Price: 23.4619 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IMBG65R010M2H
DigiKey-Teilenr.	448-IMBG65R010M2HCT-ND - Gurtabschnitt (CT) 448-IMBG65R010M2HDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IMBG65R010M2H
Beschreibung	IMBG65R010M2H
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 650 V 158 A (Tc) 535W (Tc) Oberflächenmontage PG-TO263-7-12
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

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Leere Attribute anzeigen

Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 9,1mOhm bei 92,1A, 20V
Herst. Infineon Technologies	Vgs(th) (max.) bei Id 5,6V bei 18,7mA
Serie CoolSiC™	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 112 nC @ 18 V
Verpackung Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Vgs (Max.) +23V, -7V
Status der Komponente Aktiv	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 4001 pF @ 400 V
FET-Typ N-Kanal	Verlustleistung (max.) 535W (Tc)
Technologie SiCFET (Siliziumkarbid)	Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V	Montagetyp Oberflächenmontage
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 158 A (Tc)	Gehäusetyp vom Lieferanten PG-TO263-7-12
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 15V, 20V	Gehäuse / Hülle TO-263-8, D2PAK (7 Pins + Lasche), TO-263CA