Name: IMBG65R007M2HXTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMBG65R007M2HXTMA1TR-ND
Price: 30.008 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IMBG65R007M2HXTMA1
DigiKey-Teilenr.	448-IMBG65R007M2HXTMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 448-IMBG65R007M2HXTMA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 448-IMBG65R007M2HXTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IMBG65R007M2HXTMA1
Beschreibung	SICFET N-CH 650V 238A TO263-7
Standardlieferzeit des Herstellers	61 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 650 V 238A (Tc) 789W (Tc) Oberflächenmontage PG-TO263-7-12
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IMBG65R007M2HXTMA1 Modelle

Produkteigenschaften

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Leere Attribute anzeigen

Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 5,6V bei 2,97mA
Herst. Infineon Technologies	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 179 nC @ 18 V
Serie CoolSiC™ Gen 2	Vgs (Max.) +23V, -7V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 6359 pF @ 400 V
Status der Komponente Aktiv	Verlustleistung (max.) 789W (Tc)
FET-Typ N-Kanal	Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ)
Technologie SiCFET (Siliziumkarbid)	Montagetyp Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V	Gehäusetyp vom Lieferanten PG-TO263-7-12
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 238A (Tc)	Gehäuse / Hülle TO-263-8, D2PAK (7 Pins + Lasche), TO-263CA
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 15V, 20V	Basis-Produktnummer IMBG65R007
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 8,5mOhm bei 146,3A, 18V