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Verfügbare Ersatzkomponenten:

Direkter Ersatz


Toshiba Semiconductor and Storage
Vorrätig: 23
Stückpreis : 4,40000 €
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Stückpreis : 2,22766 €
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Vorrätig: 1.480
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Vorrätig: 670
Stückpreis : 3,63000 €
Datenblatt
N-Kanal 600 V 18 A (Tc) 179W (Tc) Durchkontaktierung TO-220AB
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SIHP18N60E-GE3

DigiKey-Teilenr.
SIHP18N60E-GE3-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
SIHP18N60E-GE3
Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 18A TO220AB
Standardlieferzeit des Herstellers
22 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 600 V 18 A (Tc) 179W (Tc) Durchkontaktierung TO-220AB
Datenblatt
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EDA/CAD-Modelle
SIHP18N60E-GE3 Modelle
Produkteigenschaften
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Kategorie
Vgs(th) (max.) bei Id
4V bei 250µA
Herst.
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
92 nC @ 10 V
Verpackung
Stange
Vgs (Max.)
±30V
Status der Komponente
Aktiv
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
1640 pF @ 100 V
FET-Typ
Verlustleistung (max.)
179W (Tc)
Technologie
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
600 V
Montagetyp
Durchkontaktierung
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220AB
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Gehäuse / Hülle
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
202mOhm bei 9A, 10V
Basis-Produktnummer
Umwelt- und Exportklassifikationen
Fragen und Antworten zum Produkt
Zusätzliche Ressourcen
Ersatzartikel (6)
TeilenummerHersteller Verfügbare MengeDigiKey-Teilenr. Stückpreis Typ des Ersatzartikels
TK17E65W,S1XToshiba Semiconductor and Storage23TK17E65WS1X-ND4,40000 €Direkter Ersatz
AOT25S65LAlpha & Omega Semiconductor Inc.0785-1514-5-ND2,22766 ۀhnlich
IPP60R180C7XKSA1Infineon Technologies37IPP60R180C7XKSA1-ND3,61000 ۀhnlich
IPP65R190E6XKSA1Rochester Electronics, LLC56.8902156-IPP65R190E6XKSA1-ND1,81879 ۀhnlich
SPP20N60S5XKSA1Infineon Technologies1.480448-SPP20N60S5XKSA1-ND5,16000 ۀhnlich
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