Direkter Ersatz
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SIHP18N60E-GE3 | |
|---|---|
DigiKey-Teilenr. | SIHP18N60E-GE3-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | SIHP18N60E-GE3 |
Beschreibung | MOSFET N-CH 600V 18A TO220AB |
Standardlieferzeit des Herstellers | 22 Wochen |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 600 V 18 A (Tc) 179W (Tc) Durchkontaktierung TO-220AB |
Datenblatt | Datenblatt |
EDA/CAD-Modelle | SIHP18N60E-GE3 Modelle |
Kategorie | Vgs(th) (max.) bei Id 4V bei 250µA |
Herst. | Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 92 nC @ 10 V |
Verpackung Stange | Vgs (Max.) ±30V |
Status der Komponente Aktiv | Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 1640 pF @ 100 V |
FET-Typ | Verlustleistung (max.) 179W (Tc) |
Technologie | Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V | Montagetyp Durchkontaktierung |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | Gehäusetyp vom Lieferanten TO-220AB |
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V | Gehäuse / Hülle |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 202mOhm bei 9A, 10V | Basis-Produktnummer |
| Teilenummer | Hersteller | Verfügbare Menge | DigiKey-Teilenr. | Stückpreis | Typ des Ersatzartikels |
|---|---|---|---|---|---|
| TK17E65W,S1X | Toshiba Semiconductor and Storage | 23 | TK17E65WS1X-ND | 4,40000 € | Direkter Ersatz |
| AOT25S65L | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | 0 | 785-1514-5-ND | 2,22766 € | Ähnlich |
| IPP60R180C7XKSA1 | Infineon Technologies | 37 | IPP60R180C7XKSA1-ND | 3,61000 € | Ähnlich |
| IPP65R190E6XKSA1 | Rochester Electronics, LLC | 56.890 | 2156-IPP65R190E6XKSA1-ND | 1,81879 € | Ähnlich |
| SPP20N60S5XKSA1 | Infineon Technologies | 1.480 | 448-SPP20N60S5XKSA1-ND | 5,16000 € | Ähnlich |
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1.000 | 1,46591 € | 1.465,91 € |
| Stückpreis ohne MwSt.: | 1,46591 € |
|---|---|
| Stückpreis mit MwSt.: | 1,77375 € |






