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Direkter Ersatz


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N-Kanal 600 V 12 A (Tc) 147W (Tc) Durchkontaktierung TO-220AB
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

SIHP12N60E-E3

DigiKey-Teilenr.
SIHP12N60E-E3-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
SIHP12N60E-E3
Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 12A TO220AB
Standardlieferzeit des Herstellers
17 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 600 V 12 A (Tc) 147W (Tc) Durchkontaktierung TO-220AB
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 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
SIHP12N60E-E3 Modelle
Produkteigenschaften
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Kategorie
Vgs(th) (max.) bei Id
4V bei 250µA
Herst.
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
58 nC @ 10 V
Verpackung
Stange
Vgs (Max.)
±30V
Status der Komponente
Aktiv
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
937 pF @ 100 V
FET-Typ
Verlustleistung (max.)
147W (Tc)
Technologie
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
600 V
Montagetyp
Durchkontaktierung
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220AB
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Gehäuse / Hülle
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
380mOhm bei 6A, 10V
Basis-Produktnummer
Umwelt- und Exportklassifikationen
Fragen und Antworten zum Produkt
Zusätzliche Ressourcen
Ersatzartikel (30)
TeilenummerHersteller Verfügbare MengeDigiKey-Teilenr. Stückpreis Typ des Ersatzartikels
SIHP12N60E-BE3Vishay Siliconix886742-SIHP12N60E-BE3-ND3,09000 €Direkter Ersatz
AOT15S60LAlpha & Omega Semiconductor Inc.0785-1267-5-ND1,29576 ۀhnlich
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Menge Stückpreis Gesamtpreis
13,09000 €3,09 €
501,55400 €77,70 €
1001,40450 €140,45 €
5001,14266 €571,33 €
1.0001,05852 €1.058,52 €
2.0000,98781 €1.975,62 €
5.0000,92427 €4.621,35 €
Standardverpackung des Herstellers
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Stückpreis ohne MwSt.:3,09000 €
Stückpreis mit MwSt.:3,73890 €