N-Kanal 600 V 12 A (Tc) 147W (Tc) Durchkontaktierung TO-220AB
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SIHP12N60E-BE3

DigiKey-Teilenr.
742-SIHP12N60E-BE3-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
SIHP12N60E-BE3
Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 12A TO220AB
Standardlieferzeit des Herstellers
26 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 600 V 12 A (Tc) 147W (Tc) Durchkontaktierung TO-220AB
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
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Kategorie
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
58 nC @ 10 V
Herst.
Vgs (Max.)
±30V
Verpackung
Stange
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
937 pF @ 100 V
Status der Komponente
Aktiv
Verlustleistung (max.)
147W (Tc)
FET-Typ
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Technologie
Montagetyp
Durchkontaktierung
Drain-Source-Spannung (Vdss)
600 V
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220AB
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Gehäuse / Hülle
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
380mOhm bei 6A, 10V
Basis-Produktnummer
Vgs(th) (max.) bei Id
4V bei 250µA
Umwelt- und Exportklassifikationen
Fragen und Antworten zum Produkt
Zusätzliche Ressourcen
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Alle Preise in EUR
Stange
Menge Stückpreis Gesamtpreis
13,12000 €3,12 €
501,56640 €78,32 €
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Standardverpackung des Herstellers
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