VS-50MT060WHTAPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division | IGBT-Module

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Vishay General Semiconductor - Diodes Division

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VS-50MT060WHTAPBF
DigiKey-Teilenr.	VS-50MT060WHTAPBF-ND
Hersteller	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Hersteller-Teilenummer	VS-50MT060WHTAPBF
Beschreibung	IGBT MODULE 600V 114A 658W MTP
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	IGBT Modul Halbbrücke 600 V 114 A 658 W Chassisbefestigung MTP

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren IGBTs IGBT-Module	Strom - Kollektor, Reststrom (max.) 400 µA
Hersteller Vishay General Semiconductor - Diodes Division	Eingangskapazität (Cies) bei Vce 7.1 nF @ 30 V
Verpackung Tablett	Eingang Standard
Status der Komponente Obsolet	NTC-Thermistor Nein
Konfiguration Halbbrücke	Betriebstemperatur -40°C bis 150°C (TJ)
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 600 V	Montagetyp Chassisbefestigung
Strom - Kollektor (Ic) (max.) 114 A	Gehäuse / Hülle 12-poliges MTP-Modul
Leistung - Max. 658 W	Gehäusetyp vom Lieferanten MTP
Vce(on) (Max.) bei Vge, Ic 3,2V bei 15V, 100A	Basis-Produktnummer 50MT060