Name: VS-50MT060PHTAPBF
Brand: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
SKU: 112-VS-50MT060PHTAPBF-ND
Price: 76.7866 EUR
Availability: InStock

IGBT Modul Trench Feldstopp Halbbrücke 600 V 121 A 305 W Durchkontaktierung 12-MTP

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

VS-50MT060PHTAPBF
DigiKey-Teilenr.	112-VS-50MT060PHTAPBF-ND
Hersteller	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Hersteller-Teilenummer	VS-50MT060PHTAPBF
Beschreibung	IGBT MOD 600V 121A 305W 12-MTP
Standardlieferzeit des Herstellers	15 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	IGBT Modul Trench Feldstopp Halbbrücke 600 V 121 A 305 W Durchkontaktierung 12-MTP
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren IGBTs IGBT-Module	Vce(on) (Max.) bei Vge, Ic 1,64V bei 15V, 50A
Hersteller Vishay General Semiconductor - Diodes Division	Strom - Kollektor, Reststrom (max.) 100 µA
Serie HEXFRED®	Eingangskapazität (Cies) bei Vce 6000 pF @ 25 V
Verpackung Lose im Beutel	Eingang Standard
Status der Komponente Aktiv	NTC-Thermistor Ja
IGBT-Typ Trench Feldstopp	Betriebstemperatur -40°C bis 150°C (TJ)
Konfiguration Halbbrücke	Montagetyp Durchkontaktierung
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 600 V	Gehäuse / Hülle 12-poliges MTP-Modul
Strom - Kollektor (Ic) (max.) 121 A	Gehäusetyp vom Lieferanten 12-MTP
Leistung - Max. 305 W	Basis-Produktnummer 50MT060