Name: RD3P05BATTL1
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 846-RD3P05BATTL1TR-ND
Price: 3.6784 EUR
Availability: InStock

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RD3P05BATTL1
DigiKey-Teilenr.	846-RD3P05BATTL1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 846-RD3P05BATTL1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 846-RD3P05BATTL1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Rohm Semiconductor
Hersteller-Teilenummer	RD3P05BATTL1
Beschreibung	PCH -100V -50A POWER MOSFET: RD3
Standardlieferzeit des Herstellers	18 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	P-Kanal 100 V 50 A (Tc) 101W (Tc) Oberflächenmontage TO-252
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	RD3P05BATTL1 Modelle

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 4V bei 1mA
Herst. Rohm Semiconductor	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 110 nC @ 10 V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Vgs (Max.) ±20V
Status der Komponente Aktiv	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 4620 pF @ 50 V
FET-Typ P-Kanal	Verlustleistung (max.) 101W (Tc)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V	Montagetyp Oberflächenmontage
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 50 A (Tc)	Gehäusetyp vom Lieferanten TO-252
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 6V, 10V	Gehäuse / Hülle TO-252-3, DPAK (2 Pins + Lasche), SC-63
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 41mOhm bei 25A, 10V	Basis-Produktnummer RD3P05