Name: RD3P01BATTL1
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 846-RD3P01BATTL1TR-ND
Price: 1.9481 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

RD3P01BATTL1
DigiKey-Teilenr.	846-RD3P01BATTL1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 846-RD3P01BATTL1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 846-RD3P01BATTL1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Rohm Semiconductor
Hersteller-Teilenummer	RD3P01BATTL1
Beschreibung	PCH -100V -10A POWER MOSFET: RD3
Standardlieferzeit des Herstellers	18 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	P-Kanal 100 V 10 A (Ta) 25W (Ta) Oberflächenmontage TO-252
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Ähnliche Produkte anzeigen

Leere Attribute anzeigen

Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 4V bei 1mA
Herst. Rohm Semiconductor	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 19.4 nC @ 10 V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Vgs (Max.) ±20V
Status der Komponente Aktiv	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 660 pF @ 50 V
FET-Typ P-Kanal	Verlustleistung (max.) 25W (Ta)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V	Montagetyp Oberflächenmontage
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 10 A (Ta)	Gehäusetyp vom Lieferanten TO-252
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 6V, 10V	Gehäuse / Hülle TO-252-3, DPAK (2 Pins + Lasche), SC-63
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 240mOhm bei 5A, 10V	Basis-Produktnummer RD3P01