Name: R6007ENX
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: R6007ENX-ND
Price: 3.4969 EUR
Availability: InStock

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R6007ENX
DigiKey-Teilenr.	R6007ENX-ND
Hersteller	Rohm Semiconductor
Hersteller-Teilenummer	R6007ENX
Beschreibung	MOSFET N-CH 600V 7A TO220FM
Standardlieferzeit des Herstellers	18 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 600 V 7 A (Tc) 40W (Tc) Durchkontaktierung TO-220FM
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	R6007ENX Modelle

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 4V bei 1mA
Herst. Rohm Semiconductor	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 20 nC @ 10 V
Verpackung Lose im Beutel	Vgs (Max.) ±20V
Status der Komponente Aktiv	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 390 pF @ 25 V
FET-Typ N-Kanal	Verlustleistung (max.) 40W (Tc)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V	Montagetyp Durchkontaktierung
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 7 A (Tc)	Gehäusetyp vom Lieferanten TO-220FM
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V	Gehäuse / Hülle TO-220-3 voller Pack
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 620mOhm bei 2,4A, 10V	Basis-Produktnummer R6007

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Ersatzartikel (3)

Teilenummer	Hersteller	Verfügbare Menge	DigiKey-Teilenr.	Stückpreis	Typ des Ersatzartikels
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