Name: IPAN65R650CEXKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPAN65R650CEXKSA1-ND
Price: 1.7182 EUR
Availability: InStock

N-Kanal 650 V 10,1 A (Tc) 28W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO220-FP

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IPAN65R650CEXKSA1
DigiKey-Teilenr.	IPAN65R650CEXKSA1-ND
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IPAN65R650CEXKSA1
Beschreibung	MOSFET N-CH 650V 10.1A TO220
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 650 V 10,1 A (Tc) 28W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO220-FP
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IPAN65R650CEXKSA1 Modelle

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 3,5V bei 210µA
Herst. Infineon Technologies	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 23 nC @ 10 V
Serie CoolMOS™	Vgs (Max.) ±20V
Verpackung Stange	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 440 pF @ 100 V
Status der Komponente Nur verfügbar bis	Verlustleistung (max.) 28W (Tc)
FET-Typ N-Kanal	Betriebstemperatur -40°C bis 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Montagetyp Durchkontaktierung
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V	Gehäusetyp vom Lieferanten PG-TO220-FP
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 10,1 A (Tc)	Gehäuse / Hülle TO-220-3 voller Pack
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V	Basis-Produktnummer IPAN65
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 650mOhm bei 2,1A, 10V

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Ersatzartikel (5)

Teilenummer	Hersteller	Verfügbare Menge	DigiKey-Teilenr.	Stückpreis	Typ des Ersatzartikels
IPAN70R600P7SXKSA1	Infineon Technologies	500	IPAN70R600P7SXKSA1-ND	1,35000 €	Vom Hersteller empfohlen
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