BSM400C12P3G202
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
BSM400C12P3G202
ROHM 4-pin SiC Power MOSFETs | Digi-Key Daily
ROHM's SiC Power and Gate Driver Solutions

BSM400C12P3G202

DigiKey-Teilenr.
BSM400C12P3G202-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
BSM400C12P3G202
Beschreibung
SICFET N-CH 1200V 400A MODULE
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 1200 V 400 A (Tc) 1570W (Tc) Chassisbefestigung Modul
Datenblatt
 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
BSM400C12P3G202 Modelle
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
Serie
-
Verpackung
Tablett
Status der Komponente
Nicht für Neukonstruktionen
FET-Typ
Technologie
Drain-Source-Spannung (Vdss)
1200 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
-
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
-
Vgs(th) (max.) bei Id
5,6V bei 106,8mA
Vgs (Max.)
+22V, -4V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
17000 pF @ 10 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
1570W (Tc)
Betriebstemperatur
175°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Chassisbefestigung
Gehäusetyp vom Lieferanten
Modul
Gehäuse / Hülle
Basis-Produktnummer
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