Name: NVTFS5116PLTWG
Brand: onsemi
SKU: NVTFS5116PLTWGOSTR-ND
Price: 1.8513 EUR
Availability: InStock

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NVTFS5116PLTWG
DigiKey-Teilenr.	NVTFS5116PLTWGOSTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) NVTFS5116PLTWGOSCT-ND - Gurtabschnitt (CT) NVTFS5116PLTWGOSDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	onsemi
Hersteller-Teilenummer	NVTFS5116PLTWG
Beschreibung	MOSFET P-CH 60V 6A 8WDFN
Standardlieferzeit des Herstellers	18 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	P-Kanal 60 V 6 A (Ta) 3,2W (Ta), 21W (Tc) Oberflächenmontage 8-WDFN (3,3x3,3)
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	NVTFS5116PLTWG Modelle

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 25 nC @ 10 V
Herst. onsemi	Vgs (Max.) ±20V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 1258 pF @ 25 V
Status der Komponente Aktiv	Verlustleistung (max.) 3,2W (Ta), 21W (Tc)
FET-Typ P-Kanal	Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Klasse Automobiltechnik
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V	Qualifizierung AEC-Q101
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 6 A (Ta)	Montagetyp Oberflächenmontage
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 4,5V, 10V	Gehäusetyp vom Lieferanten 8-WDFN (3,3x3,3)
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 52mOhm bei 7A, 10V	Gehäuse / Hülle 8-PowerWDFN
Vgs(th) (max.) bei Id 3V bei 250µA	Basis-Produktnummer NVTFS5116