P-Kanal 60 V 6 A (Ta) 3,2W (Ta), 21W (Tc) Oberflächenmontage 8-WDFN (3,3x3,3)
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

NVTFS5116PLTAG

DigiKey-Teilenr.
NVTFS5116PLTAGOSTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
NVTFS5116PLTAGOSCT-ND - Gurtabschnitt (CT)
NVTFS5116PLTAGOSDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller
onsemi
Hersteller-Teilenummer
NVTFS5116PLTAG
Beschreibung
MOSFET P-CH 60V 6A 8WDFN
Standardlieferzeit des Herstellers
18 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
P-Kanal 60 V 6 A (Ta) 3,2W (Ta), 21W (Tc) Oberflächenmontage 8-WDFN (3,3x3,3)
Datenblatt
 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
NVTFS5116PLTAG Modelle
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
onsemi
Serie
-
Verpackung
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Status der Komponente
Aktiv
FET-Typ
P-Kanal
Technologie
MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
60 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
6 A (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
4,5V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
52mOhm bei 7A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
3V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
25 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
1258 pF @ 25 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
3,2W (Ta), 21W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse
Automobiltechnik
Qualifizierung
AEC-Q101
Montagetyp
Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten
8-WDFN (3,3x3,3)
Gehäuse / Hülle
8-PowerWDFN
Basis-Produktnummer
NVTFS5116
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Menge
Alle Preise in EUR
Gurtabschnitt (CT) & Digi-Reel®
Menge Stückpreis Gesamtpreis
11,20000 €1,20 €
100,75900 €7,59 €
1000,50310 €50,31 €
5000,39326 €196,63 €
* Für alle Digi-Reel-Bestellungen wird eine Rollgebühr von 5,50 € erhoben.
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Menge Stückpreis Gesamtpreis
1.5000,33990 €509,85 €
3.0000,31303 €939,09 €
4.5000,29934 €1.347,03 €
7.5000,28396 €2.129,70 €
10.5000,27550 €2.892,75 €
Standardverpackung des Herstellers
Stückpreis ohne MwSt.:1,20000 €
Stückpreis mit MwSt.:1,45200 €
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