Name: NTH4L028N170M1
Brand: onsemi
SKU: 5556-NTH4L028N170M1-ND
Price: 40.7286 EUR
Availability: InStock

N-Kanal 1700 V 81 A (Tc) 535W (Tc) Durchkontaktierung TO-247-4L

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

NTH4L028N170M1
DigiKey-Teilenr.	5556-NTH4L028N170M1-ND
Hersteller	onsemi
Hersteller-Teilenummer	NTH4L028N170M1
Beschreibung	SIC MOSFET 1700 V 28 MOHM M1 SER
Standardlieferzeit des Herstellers	99 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 1700 V 81 A (Tc) 535W (Tc) Durchkontaktierung TO-247-4L
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Ähnliche Produkte anzeigen

Leere Attribute anzeigen

Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 4,3V bei 20mA
Herst. onsemi	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 200 nC @ 20 V
Verpackung Stange	Vgs (Max.) +25V, -15V
Status der Komponente Aktiv	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 4230 pF @ 800 V
FET-Typ N-Kanal	Verlustleistung (max.) 535W (Tc)
Technologie SiCFET (Siliziumkarbid)	Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 1700 V	Montagetyp Durchkontaktierung
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 81 A (Tc)	Gehäusetyp vom Lieferanten TO-247-4L
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 20V	Gehäuse / Hülle TO-247-4
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 40mOhm bei 60A, 20V	Basis-Produktnummer NTH4L02

Fehlerhafte Produktinformationen melden

Dokumente und Medien

Umwelt- und Exportklassifikationen

Zusätzliche Ressourcen

Auf Lager: 470

Bestand des Herstellers: 3.600

Auf zusätzliche eingehende Bestände prüfen

Menge

Alle Preise in EUR

Stange

Menge	Stückpreis	Gesamtpreis
1	33,66000 €	33,66 €
10	25,00000 €	250,00 €

Hinweis: Aufgrund der Mehrwertdienste von DigiKey kann sich die Verpackungsart ändern, wenn das Produkt in Mengen unterhalb der Standardverpackungsmenge gekauft wird.