Name: IMYH200R024M1HXKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMYH200R024M1HXKSA1-ND
Price: 46.7181 EUR
Availability: InStock

N-Kanal 2000 V 89 A (Tc) 576W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO247-4-U04

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IMYH200R024M1HXKSA1
DigiKey-Teilenr.	448-IMYH200R024M1HXKSA1-ND
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IMYH200R024M1HXKSA1
Beschreibung	SIC DISCRETE
Standardlieferzeit des Herstellers	49 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 2000 V 89 A (Tc) 576W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO247-4-U04
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IMYH200R024M1HXKSA1 Modelle

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 33mOhm bei 40A, 18V
Herst. Infineon Technologies	Vgs(th) (max.) bei Id 5,5V bei 24mA
Serie CoolSiC™	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 137 nC @ 18 V
Verpackung Stange	Vgs (Max.) +20V, -7V
Status der Komponente Aktiv	Verlustleistung (max.) 576W (Tc)
FET-Typ N-Kanal	Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ)
Technologie SiCFET (Siliziumkarbid)	Montagetyp Durchkontaktierung
Drain-Source-Spannung (Vdss) 2000 V	Gehäusetyp vom Lieferanten PG-TO247-4-U04
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 89 A (Tc)	Gehäuse / Hülle TO-247-4
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 15V, 18V	Basis-Produktnummer IMYH200

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30	25,91967 €	777,59 €
120	24,76492 €	2.971,79 €

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