Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln NPN - Darlington 100 V 8 A 4MHz 20 W Oberflächenmontage DPAK
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MJD122G

DigiKey-Teilenr.
MJD122GOS-ND
Hersteller
onsemi
Hersteller-Teilenummer
MJD122G
Beschreibung
TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK
Standardlieferzeit des Herstellers
20 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln NPN - Darlington 100 V 8 A 4MHz 20 W Oberflächenmontage DPAK
Datenblatt
 Datenblatt
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MJD122G Modelle
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
onsemi
Serie
-
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Aktiv
Transistor-Typ
NPN - Darlington
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
8 A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)
100 V
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic
4V bei 80mA, 8A
Strom - Kollektor, Reststrom (max.)
10µA
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce
1000 bei 4A, 4V
Leistung - Max.
20 W
Frequenz - Übergang
4MHz
Betriebstemperatur
-65°C bis 150°C (TJ)
Montagetyp
Oberflächenmontage
Gehäuse / Hülle
TO-252-3, DPAK (2 Pins + Lasche), SC-63
Gehäusetyp vom Lieferanten
DPAK
Basis-Produktnummer
MJD122
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