N-Kanal 650 V 76 A (Tc) 595W (Tc) Durchkontaktierung TO-247-3
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FCH041N65EF-F155

DigiKey-Teilenr.
FCH041N65EF-F155OS-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
FCH041N65EF-F155
Beschreibung
MOSFET N-CH 650V 76A TO247
Standardlieferzeit des Herstellers
16 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 650 V 76 A (Tc) 595W (Tc) Durchkontaktierung TO-247-3
Datenblatt
 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
FCH041N65EF-F155 Modelle
Produkteigenschaften
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Kategorie
Vgs(th) (max.) bei Id
5V bei 7,6mA
Herst.
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
298 nC @ 10 V
Serie
Vgs (Max.)
±20V
Verpackung
Stange
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
12560 pF @ 100 V
Status der Komponente
Aktiv
Verlustleistung (max.)
595W (Tc)
FET-Typ
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Technologie
Montagetyp
Durchkontaktierung
Drain-Source-Spannung (Vdss)
650 V
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-247-3
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Gehäuse / Hülle
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Basis-Produktnummer
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
41mOhm bei 38A, 10V
Umwelt- und Exportklassifikationen
Fragen und Antworten zum Produkt
Zusätzliche Ressourcen
Ersatzartikel (6)
TeilenummerHersteller Verfügbare MengeDigiKey-Teilenr. Stückpreis Typ des Ersatzartikels
APT60N60BCSGMicrochip Technology69APT60N60BCSG-ND17,23000 ۀhnlich
IPW60R045CPAFKSA1Infineon Technologies588448-IPW60R045CPAFKSA1-ND15,30000 ۀhnlich
IPW65R045C7FKSA1Infineon Technologies12IPW65R045C7FKSA1-ND9,94000 ۀhnlich
IXKH70N60C5IXYS210238-IXKH70N60C5-ND22,62000 ۀhnlich
SIHW61N65EF-GE3Vishay Siliconix480SIHW61N65EF-GE3-ND13,39000 ۀhnlich
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Stange
Menge Stückpreis Gesamtpreis
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4507,23827 €3.257,22 €
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