
IPW65R045C7FKSA1 | |
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DigiKey-Teilenr. | IPW65R045C7FKSA1-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | IPW65R045C7FKSA1 |
Beschreibung | MOSFET N-CH 650V 46A TO247-3 |
Standardlieferzeit des Herstellers | 31 Wochen |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 650 V 46 A (Tc) 227W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO247-3-1 |
Datenblatt | Datenblatt |
EDA/CAD-Modelle | IPW65R045C7FKSA1 Modelle |
Kategorie | Vgs(th) (max.) bei Id 4V bei 1,25mA |
Herst. | Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 93 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (Max.) ±20V |
Verpackung Stange | Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 4340 pF @ 400 V |
Status der Komponente Aktiv | Verlustleistung (max.) 227W (Tc) |
FET-Typ | Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ) |
Technologie | Montagetyp Durchkontaktierung |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V | Gehäusetyp vom Lieferanten PG-TO247-3-1 |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | Gehäuse / Hülle |
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V | Basis-Produktnummer |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 45mOhm bei 24,9A, 10V |
| Teilenummer | Hersteller | Verfügbare Menge | DigiKey-Teilenr. | Stückpreis | Typ des Ersatzartikels |
|---|---|---|---|---|---|
| FCH041N65F-F085 | onsemi | 282 | FCH041N65F-F085-ND | 13,31000 € | Ähnlich |
| IXTH80N65X2 | IXYS | 115 | IXTH80N65X2-ND | 13,96000 € | Ähnlich |
| SIHG70N60EF-GE3 | Vishay Siliconix | 270 | 742-SIHG70N60EF-GE3-ND | 12,88000 € | Ähnlich |
| STW70N60DM2 | STMicroelectronics | 170 | 497-16345-5-ND | 9,93000 € | Ähnlich |
| STW77N65M5 | STMicroelectronics | 237 | 497-10589-5-ND | 14,78000 € | Ähnlich |
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1 | 9,94000 € | 9,94 € |
| 30 | 5,92233 € | 177,67 € |
| 120 | 5,04208 € | 605,05 € |
| 510 | 4,39751 € | 2.242,73 € |
| 1.020 | 4,39197 € | 4.479,81 € |
| Stückpreis ohne MwSt.: | 9,94000 € |
|---|---|
| Stückpreis mit MwSt.: | 12,02740 € |









