MOSFETs - Arrays 1200V (1,2kV), 700V 317A (Tc), 227A (Tc) 1253W (Tc), 613W (Tc) Chassisbefestigung
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MSCSM120HRM08NG

DigiKey-Teilenr.
150-MSCSM120HRM08NG-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
MSCSM120HRM08NG
Beschreibung
MOSFET 4N-CH 1200V/700V 317A
Standardlieferzeit des Herstellers
20 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
MOSFETs - Arrays 1200V (1,2kV), 700V 317A (Tc), 227A (Tc) 1253W (Tc), 613W (Tc) Chassisbefestigung
Datenblatt
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Produkteigenschaften
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Kategorie
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
7,8mOhm bei 160A, 20V, 9,5mOhm bei 80A, 20V
Hersteller
Microchip Technology
Vgs(th) (max.) bei Id
2,8V bei 12mA, 2,4V bei 8mA
Verpackung
Stange
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
928nC bei 20V, 430nC bei 20V
Status der Komponente
Aktiv
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
12100pF bei 1000V, 9000pF bei 700V
Technologie
Siliziumkarbid (SiC)
Leistung - Max.
1253W (Tc), 613W (Tc)
Konfiguration
4 N-Kanal (dreistufiger Inverter)
Betriebstemperatur
-40°C bis 175°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
1200V (1,2kV), 700V
Montagetyp
Chassisbefestigung
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
317A (Tc), 227A (Tc)
Gehäuse / Hülle
Modul
Umwelt- und Exportklassifikationen
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