Name: IRF1010EPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRF1010EPBF-ND
Price: 2.3232 EUR
Availability: OutOfStock

IRF1010EPBF
DigiKey-Teilenr.	IRF1010EPBF-ND
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IRF1010EPBF
Beschreibung	MOSFET N-CH 60V 84A TO220AB
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 60 V 84 A (Tc) 200W (Tc) Durchkontaktierung TO-220AB
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IRF1010EPBF Modelle

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Infineon Technologies
Serie	HEXFET®
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Nicht für Neukonstruktionen
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	60 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	84 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	12mOhm bei 50A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	4V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	130 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	3210 pF @ 25 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	200W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-220AB
Gehäuse / Hülle	TO-220-3
Basis-Produktnummer	IRF1010

Stückpreis ohne MwSt.:	1,92000 €
Stückpreis mit MwSt.:	2,32320 €

IRF1010EPBF