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Verfügbare Ersatzkomponenten:

Direkter Ersatz


Infineon Technologies
Vorrätig: 1.357
Stückpreis : 1,82000 €
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Upgrade


Infineon Technologies
Vorrätig: 0
Stückpreis : 0,00000 €
Datenblatt

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Vorrätig: 0
Stückpreis : 0,72048 €
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Vorrätig: 0
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Vorrätig: 0
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Vorrätig: 12.137
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Vorrätig: 3.943
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Vorrätig: 354
Stückpreis : 2,18000 €
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Vorrätig: 527
Stückpreis : 3,37000 €
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Vorrätig: 4.575
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Vorrätig: 9.500
Stückpreis : 0,95187 €
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Infineon Technologies
Vorrätig: 0
Stückpreis : 0,00000 €
Datenblatt

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Infineon Technologies
Vorrätig: 1.856
Stückpreis : 1,92000 €
Datenblatt
N-Kanal 55 V 80 A (Tc) 300W (Tc) Durchkontaktierung TO-220
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

STP80NF55-06

DigiKey-Teilenr.
497-2774-5-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
STP80NF55-06
Beschreibung
MOSFET N-CH 55V 80A TO220AB
Standardlieferzeit des Herstellers
10 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 55 V 80 A (Tc) 300W (Tc) Durchkontaktierung TO-220
Datenblatt
 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
STP80NF55-06 Modelle
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
Serie
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Aktiv
FET-Typ
Technologie
Drain-Source-Spannung (Vdss)
55 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
6,5mOhm bei 40A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
4V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
189 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
4400 pF @ 25 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
300W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220
Gehäuse / Hülle
Basis-Produktnummer
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Menge Stückpreis Gesamtpreis
12,52000 €2,52 €
501,24820 €62,41 €
1001,12380 €112,38 €
5000,90590 €452,95 €
1.0000,83587 €835,87 €
2.0000,77699 €1.553,98 €
5.0000,71330 €3.566,50 €
10.0000,70117 €7.011,70 €
Standardverpackung des Herstellers
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Stückpreis mit MwSt.:3,04920 €