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Verfügbare Ersatzkomponenten:

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N-Kanal 650 V 22,4 A (Tc) 195,3W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO220-3
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IPP65R150CFDXKSA2

DigiKey-Teilenr.
448-IPP65R150CFDXKSA2-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
IPP65R150CFDXKSA2
Beschreibung
MOSFET N-CH 650V 22.4A TO220-3
Standardlieferzeit des Herstellers
27 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 650 V 22,4 A (Tc) 195,3W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO220-3
Datenblatt
 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
IPP65R150CFDXKSA2 Modelle
Produkteigenschaften
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Kategorie
Vgs(th) (max.) bei Id
4,5V bei 900µA
Herst.
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
86 nC @ 10 V
Serie
Vgs (Max.)
±20V
Verpackung
Stange
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
2340 pF @ 100 V
Status der Komponente
Aktiv
Verlustleistung (max.)
195,3W (Tc)
FET-Typ
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Technologie
Montagetyp
Durchkontaktierung
Drain-Source-Spannung (Vdss)
650 V
Gehäusetyp vom Lieferanten
PG-TO220-3
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Gehäuse / Hülle
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Basis-Produktnummer
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
150mOhm bei 9,3A, 10V
Umwelt- und Exportklassifikationen
Fragen und Antworten zum Produkt
Zusätzliche Ressourcen
Ersatzartikel (7)
TeilenummerHersteller Verfügbare MengeDigiKey-Teilenr. Stückpreis Typ des Ersatzartikels
FCP190N60-GF102onsemi0FCP190N60-GF102-ND0,00000 €Direkter Ersatz
FCP16N60Nonsemi0FCP16N60N-ND0,00000 ۀhnlich
SIHP22N60EL-GE3Vishay Siliconix0SIHP22N60EL-GE3-ND1,95018 ۀhnlich
SIHP24N65E-GE3Vishay Siliconix0SIHP24N65E-GE3-ND5,85000 ۀhnlich
SIHP25N60EFL-GE3Vishay Siliconix0SIHP25N60EFL-GE3-ND5,08000 ۀhnlich
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Stange
Menge Stückpreis Gesamtpreis
13,91000 €3,91 €
502,00140 €100,07 €
1001,81700 €181,70 €
5001,49402 €747,01 €
1.0001,39029 €1.390,29 €
2.0001,30311 €2.606,22 €
5.0001,26763 €6.338,15 €
Standardverpackung des Herstellers
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Stückpreis mit MwSt.:4,73110 €