SIHP24N65E-GE3 ist nicht mehr auf Lager, steht aber für die Rückstandsbestellung zur Verfügung.
Verfügbare Ersatzkomponenten:

Parametrisches Äquivalent


Vishay Siliconix
Vorrätig: 0
Stückpreis : 5,85000 €
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Vorrätig: 3.057
Stückpreis : 4,82000 €
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onsemi
Vorrätig: 765
Stückpreis : 6,47000 €
Datenblatt

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onsemi
Vorrätig: 776
Stückpreis : 5,45000 €
Datenblatt

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onsemi
Vorrätig: 0
Stückpreis : 0,00000 €
Datenblatt

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Infineon Technologies
Vorrätig: 499
Stückpreis : 4,50000 €
Datenblatt

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Infineon Technologies
Vorrätig: 257
Stückpreis : 4,99000 €
Datenblatt

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Infineon Technologies
Vorrätig: 37
Stückpreis : 3,61000 €
Datenblatt

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Infineon Technologies
Vorrätig: 0
Stückpreis : 7,18000 €
Datenblatt

Ähnlich


Infineon Technologies
Vorrätig: 257
Stückpreis : 5,44000 €
Datenblatt

Ähnlich


Infineon Technologies
Vorrätig: 0
Stückpreis : 0,00000 €
Datenblatt

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IXYS
Vorrätig: 0
Stückpreis : 2,35760 €
Datenblatt

Ähnlich


Infineon Technologies
Vorrätig: 5
Stückpreis : 5,35000 €
Datenblatt

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STMicroelectronics
Vorrätig: 900
Stückpreis : 4,73000 €
Datenblatt
N-Kanal 650 V 24 A (Tc) 250W (Tc) Durchkontaktierung TO-220AB
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

SIHP24N65E-GE3

DigiKey-Teilenr.
SIHP24N65E-GE3-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
SIHP24N65E-GE3
Beschreibung
MOSFET N-CH 650V 24A TO220AB
Standardlieferzeit des Herstellers
22 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 650 V 24 A (Tc) 250W (Tc) Durchkontaktierung TO-220AB
Datenblatt
 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
SIHP24N65E-GE3 Modelle
Produkteigenschaften
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Kategorie
Vgs(th) (max.) bei Id
4V bei 250µA
Herst.
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
122 nC @ 10 V
Verpackung
Stange
Vgs (Max.)
±30V
Status der Komponente
Aktiv
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
2740 pF @ 100 V
FET-Typ
Verlustleistung (max.)
250W (Tc)
Technologie
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
650 V
Montagetyp
Durchkontaktierung
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220AB
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Gehäuse / Hülle
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
145mOhm bei 12A, 10V
Basis-Produktnummer
Umwelt- und Exportklassifikationen
Fragen und Antworten zum Produkt
Zusätzliche Ressourcen
Ersatzartikel (22)
TeilenummerHersteller Verfügbare MengeDigiKey-Teilenr. Stückpreis Typ des Ersatzartikels
SIHP24N65E-E3Vishay Siliconix0SIHP24N65E-E3-ND5,85000 €Parametrisches Äquivalent
AOT27S60LAlpha & Omega Semiconductor Inc.3.057785-1252-5-ND4,82000 ۀhnlich
FCP110N65Fonsemi765FCP110N65FOS-ND6,47000 ۀhnlich
FCP150N65Fonsemi776FCP150N65FOS-ND5,45000 ۀhnlich
FCP22N60Nonsemi0FCP22N60N-ND0,00000 ۀhnlich
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Stange
Menge Stückpreis Gesamtpreis
15,85000 €5,85 €
103,92800 €39,28 €
1002,84290 €284,29 €
5002,38038 €1.190,19 €
1.0002,23191 €2.231,91 €
2.0002,17787 €4.355,74 €
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Stückpreis mit MwSt.:7,07850 €