
IPP60R190C6XKSA1 | |
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DigiKey-Teilenr. | IPP60R190C6XKSA1-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | IPP60R190C6XKSA1 |
Beschreibung | MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220-3 |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 600 V 20,2 A (Tc) 151W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO220-3 |
Datenblatt | Datenblatt |
EDA/CAD-Modelle | IPP60R190C6XKSA1 Modelle |
Kategorie | Vgs(th) (max.) bei Id 3,5V bei 630µA |
Herst. | Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 63 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (Max.) ±20V |
Verpackung Stange | Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 1400 pF @ 100 V |
Status der Komponente Nicht für Neukonstruktionen | Verlustleistung (max.) 151W (Tc) |
FET-Typ | Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ) |
Technologie | Montagetyp Durchkontaktierung |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V | Gehäusetyp vom Lieferanten PG-TO220-3 |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | Gehäuse / Hülle |
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V | Basis-Produktnummer |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 190mOhm bei 9,5A, 10V |
| Teilenummer | Hersteller | Verfügbare Menge | DigiKey-Teilenr. | Stückpreis | Typ des Ersatzartikels |
|---|---|---|---|---|---|
| STP28N60DM2 | STMicroelectronics | 952 | 497-16348-5-ND | 4,08000 € | Direkter Ersatz |
| FCP190N65F | onsemi | 569 | FCP190N65F-ND | 4,74000 € | Ähnlich |
| SIHP21N60EF-GE3 | Vishay Siliconix | 0 | SIHP21N60EF-GE3-ND | 4,49000 € | Ähnlich |
| SIHP22N60AE-GE3 | Vishay Siliconix | 0 | SIHP22N60AE-GE3-ND | 1,76563 € | Ähnlich |
| STP18N60M2 | STMicroelectronics | 266 | 497-13971-5-ND | 2,58000 € | Ähnlich |
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1 | 3,25000 € | 3,25 € |
| 50 | 1,63740 € | 81,87 € |
| 100 | 1,48140 € | 148,14 € |
| 500 | 1,20780 € | 603,90 € |
| 1.000 | 1,11995 € | 1.119,95 € |
| 2.000 | 1,04608 € | 2.092,16 € |
| 5.000 | 0,98695 € | 4.934,75 € |
| Stückpreis ohne MwSt.: | 3,25000 € |
|---|---|
| Stückpreis mit MwSt.: | 3,93250 € |



