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IPP126N10N3GXKSA1 ist obsolet und wird nicht mehr hergestellt.
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Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
IPP126N10N3GXKSA1 | |
|---|---|
DigiKey-Teilenr. | IPP126N10N3GXKSA1-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | IPP126N10N3GXKSA1 |
Beschreibung | MOSFET N-CH 100V 58A TO220-3 |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 100 V 58 A (Tc) 94W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO220-3 |
Datenblatt | Datenblatt |
EDA/CAD-Modelle | IPP126N10N3GXKSA1 Modelle |
Produkteigenschaften
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Kategorie | Vgs(th) (max.) bei Id 3,5V bei 46µA |
Herst. | Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 35 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (Max.) ±20V |
Verpackung Stange | Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 2500 pF @ 50 V |
Status der Komponente Obsolet | Verlustleistung (max.) 94W (Tc) |
FET-Typ | Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ) |
Technologie | Montagetyp Durchkontaktierung |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V | Gehäusetyp vom Lieferanten PG-TO220-3 |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | Gehäuse / Hülle |
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 6V, 10V | Basis-Produktnummer |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 12,3mOhm bei 46A, 10V |
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Ersatzartikel (12)
| Teilenummer | Hersteller | Verfügbare Menge | DigiKey-Teilenr. | Stückpreis | Typ des Ersatzartikels |
|---|---|---|---|---|---|
| IRF8010PBF | Infineon Technologies | 515 | IRF8010PBF-ND | 2,61000 € | Ähnlich |
| CSD19534KCS | Texas Instruments | 1.026 | 296-38676-5-ND | 1,85000 € | Ähnlich |
| DIT100N10 | Diotec Semiconductor | 790 | 4878-DIT100N10-ND | 2,18000 € | Ähnlich |
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| FDP150N10 | onsemi | 0 | FDP150N10-ND | 2,90000 € | Ähnlich |
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